Hvad er tør ætsning?
Tør ætsning er en af to vigtigste ætsningsprocesser, der bruges i mikroelektronik og nogle halvlederbehandling.I modsætning til våd ætsning nedsænker tør ætsning ikke det materiale, der skal ætses i flydende kemikalier.I stedet bruger den gas- eller fysiske processer til at ætses eller skabe små udskårne kanaler i materialet.Tør ætsning er dyrere end våd ætsning, men giver mulighed for større præcision i den type kanaler, der er oprettet.
Producenter beslutter ofte mellem at bruge tør eller våd ætsningsteknikker, der først er baseret på den præcision, der kræves i de ætsede kanaler.Hvis kanalerne skal være særlig dybe eller af en bestemt form mdash;såsom at have lodrette sider mdash;Tør ætsning ønskes.Omkostninger er imidlertid også en overvejelse, da tør ætsning koster betydeligt mere end våd ætsning.
I både våd og tør ætsning, området på det materiale, som producenten ikke ønsker ætset mdash;Normalt kaldet en skive i mikroelektronisk behandling og mdash;er dækket med et ikke -reaktivt stof eller maskeret.Når materialet først er maskeret, udsættes enten for en type plasma -ætsning, der udsætter det for et gasformigt kemikalie som hydrogenfluor eller udsat for en fysisk processer, såsom ionstrålefræsning, som skaber ætsning uden brug af gas.
Der er tre typer plasma -ætsning.Den første, reaktionsion -ætsning (RIE), skaber kanaler gennem en kemisk reaktion, der forekommer mellem ionerne i plasmaet og skiveroverfladen, der fjerner små mængder af skiven.Rie giver mulighed for en variation i kanalstruktur, fra næsten direkte til helt afrundet.Den anden proces med plasma -ætsning, dampfase, adskiller sig kun fra RIE i sin enkle opsætning.Dampfase tillader imidlertid mindre variation i den producerede kanaler. Den tredje teknik, sputter ætsning, bruger også ioner til at ætse skiverne.Ionerne i Rie- og dampfasen sidder på overfladen af skiven og reagerer med materialet.Sputter ætsning bombarderer derimod materialet med ioner for at udskille de specificerede kanaler. Producenter skal altid hurtigt fjerne biprodukter, der produceres under ætsningsprocessen.Disse biprodukter kan forhindre, at den fulde ætsning finder sted, hvis de kondenseres på skiveroverfladen.Ofte fjernes de ved at returnere dem til en gasformig tilstand, før ætsningsprocessen er afsluttet. En attribut af tør ætsning er evnen til, at den kemiske reaktion forekommer i kun en retning.Dette fænomen kaldes anisotropi og tillader, at kanaler kan ætses uden reaktionen, der berører de maskerede områder af skiven.Normalt betyder det, at reaktionen finder sted i en lodret retning.